1R: 1 Bậc, hay Bậc Đơn, số lượng đơn vị tải dữ liệu 64-bit trên mỗi thanh.
2R: 2 Bậc, hay Bậc Đôi, số lượng đơn vị tải dữ liệu 64-bit trên mỗi thanh.
4R: 4 Bậc, hay Bậc Bốn, số lượng đơn vị tải dữ liệu 64-bit trên mỗi thanh.
AMD: Advanced Micro Devices, Inc.
AMD EPYC™: Dòng bộ xử lý máy chủ AMD.
AMD EXPO™: DDR5 AMD Extended Profiles for Overclocking.
AMD Ryzen™: Dòng bộ xử lý PC AMD.
AES (Chuẩn mã hóa cao cấp)]
Xem FIPS. Một mã khối để mã hóa các dữ liệu điện tử nhạy cảm, được chính phủ Hoa Kỳ sử dụng bằng cái tên FIPS 197 từ năm 2002.
Bảo vệ phân phối nội dung đọc tự động làm mới
Chức năng tự động làm mới đọc tất cả dữ liệu trên các vùng nhớ flash, bao gồm cả những nơi dữ liệu ít khi được đọc, sau đó thực hiện hiệu chỉnh lỗi tự động một cách bắt buộc để ngăn ngừa hiện tượng mất dữ liệu do lỗi nhiễu khả năng đọc, lỗi chiếm dữ liệu và các lỗi khác. Chức năng tự động làm mới hoạt động ở dạng chạy ẩn để chỉ gây ra độ trễ phản hồi lệnh ở mức rất nhỏ ngay cả trong quá trình hiệu chỉnh.
Quản lý Khu vực lưu trữ không còn đáng tin cậy
Những khu vực lưu trữ không còn đáng tin cậy (còn gọi là "khối lỗi") có chứa một hoặc nhiều bit thông tin không còn đáng tin cậy. Những khối lỗi này xuất hiện trong quá trình sản xuất (Khối lỗi Nguyên bản) hoặc xuất hiện trong vòng đời sử dụng của thẻ (Khối lỗi Thứ phát). Cả hai loại khối lỗi đều là không tránh khỏi, vì vậy cần thiết phải tạo lập Quản lý Khu vực lưu trữ không còn đáng tin cậy nhằm quản lý các lỗi này đối với thiết bị NAND Flash. Quản lý Khu vực lưu trữ không còn đáng tin cậy sẽ xác định và đánh dấu các khối lỗi, sau đó sẽ sử dụng dung lượng bổ sung còn trống để thay thế các khối không còn hợp lệ. Điều này sẽ ngăn cản khả năng ghi dữ liệu vào các khối lỗi, qua đó tăng độ tin cậy cho sản phẩm. Nếu các khối lỗi đang chứa dữ liệu, thì thẻ sẽ chuyển dữ liệu sang khối hợp lệ để tránh mất mát dữ liệu.
bit: Đơn vị đo dữ liệu nhỏ nhất trong thông tin máy tính và được hiểu thị bằng số 1 hay 0, bật/tắt.
Byte: 8 bits
Brute force:Một cuộc tấn công mạng kém tinh vi để bẻ mật khẩu hay khóa mật mã bằng cách thử mọi phương án khả thi.
Dung lượng: Tổng số lượng ô bộ nhớ dữ liệu khả dụng trên một thanh RAM, được biểu thị bằng Gigabyte (GB). Đối với các bộ kit, dung lượng được liệt kê là mức dung lượng kết hợp của tất cả các thanh RAM trong bộ kit đó.
CAS: Tín hiệu để xác định địa chỉ nhớ theo cột, dùng với độ trễ hay “độ trễ CAS” là một chuỗi các khoảng thời gian thể hiện trạng thái chờ dữ liệu.
Độ trễ CAS: Số chu kỳ xung nhịp tiêu chuẩn được xác định trước để đọc/ghi dữ liệu từ hoặc vào thanh RAM và bộ điều khiển bộ nhớ. Một khi lệnh đọc/ghi dữ liệu và các địa chỉ hàng/cột được tải, Độ trễ CAS thể hiện thời gian chờ cho đến khi dữ liệu sẵn sàng.
Kênh: Kênh chỉ số lượng chip nhớ flash mà bộ điều khiển có thể giao tiếp cùng một lúc. Ổ SSD cơ bản/phổ biến thường có 2 hoặc 4 kênh; ổ SSD hiệu năng cao thường có 8 kênh và ổ SSD của các trung tâm dữ liệu có thể có đến 16 kênh.
CL: Viết tắt của Độ trễ Tín hiệu để xác định địa chỉ nhớ theo cột hay “Độ trễ CAS” là một chuỗi các khoảng thời gian thể hiện trạng thái chờ dữ liệu.
Chip mã hóa: Một công cụ phần cứng bảo vệ dữ liệu trên USB bằng cách đặt tính năng quản lý khóa mật mã ở ngay trên thiết bị, nơi tính năng này có thể được bảo vệ. Dòng ổ flash IronKey sử dụng chip mã hóa.
Tốc độ dữ liệu: Chỉ cấp tốc độ của một thanh RAM, ví dụ: 3200MT/giây.
DDR: Tốc độ dữ liệu gấp đôi, viết tắt của DDR SDRAM.
DDR3: Tốc độ dữ liệu gấp đôi thế hệ 3 SDRAM.
DDR3L: Tốc độ dữ liệu gấp đôi thế hệ 3 SDRAM điện áp thấp.
DDR4: Công nghệ Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên động đồng bộ (SDRAM) DDR (Tốc độ dữ liệu gấp đôi) thế hệ thứ tư, thường được gọi là "DDR4". Các thanh RAM DDR4 không tương thích ngược với bất kỳ thế hệ SDRAM DDR nào trước đó do sử dụng điện áp thấp hơn (1,2V), cấu hình chân khác nhau và công nghệ chip bộ nhớ không tương thích.
DDR5: Công nghệ Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên động đồng bộ (SDRAM) DDR (Tốc độ dữ liệu gấp đôi) thế hệ thứ năm, thường được gọi là "DDR5". Các thanh RAM DDR5 không tương thích ngược với bất kỳ thế hệ SDRAM DDR nào trước đó do sử dụng điện áp thấp hơn (1,1V), cấu hình chân khác nhau và công nghệ chip bộ nhớ không tương thích.
Thiết kế trong: Thành phần hay linh kiện cho máy tính/thiết bị phi truyền thống. Dòng sản phẩm RAM của Kingston dựa trên tiêu chuẩn ngành, mã sản phẩm bắt đầu bằng “CBD”.
DIMM: Thanh RAM hai hàng chân.
DRAM: Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên động.
Kênh Đôi: Kiến trúc ổ cắm bộ nhớ có hai thanh RAM giống hệt nhau kết hợp băng thông để tăng hiệu năng hệ thống.
Bậc Đôi: 2 Bậc, hay Bậc Đôi, số lượng đơn vị tải dữ liệu 64-bit trên mỗi thanh.
Làm mới dữ liệu động: Chức năng làm mới dữ liệu động được sử dụng để đảm bảo trong quá trình vận hành chỉ đọc, các khối có nhiều lỗi có thể được loại bỏ và làm mới lại cho các lần sử dụng tiếp theo. Trong mỗi lệnh đọc, bộ điều khiển sẽ thực hiện ba bước kiểm tra đối với ba khối mục tiêu: bước đầu tiên là kiểm tra đánh dấu “cần phải làm mới”. Bước thứ hai là kiểm tra số bit thông tin bị lỗi hiện có. Bước thứ ba là kiểm tra số lượng đếm lại các lỗi hiện có.
ECC: Mã hiệu chỉnh lỗi.
ECC UDIMM: DIMM ECC Không có bộ đệm.
EEPROM: Bộ nhớ chỉ đọc có thể lập trình có thể xóa bằng điện.
FIPS (Tiêu chuẩn Xử lý Thông tin Liên bang): Các tiêu chuẩn và hướng dẫn dành cho hệ thống máy tính liên bang của Hoa Kỳ, được Viện Tiêu chuẩn và Công nghệ Quốc gia (NIST) phát triển theo Đạo luật Quản lý An ninh Thông tin Liên bang (FISMA) và được Bộ trưởng Bộ Thương mại phê duyệt.
FIPS 197: Chuẩn Mã hóa Cao cấp (còn gọi là Rinjdael), một biến thể của mã hóa khối do Bỉ xây dựng. Dùng khóa 128, 192 hay 256 bit: AES-128 chưa từng bị bẻ khóa bởi tấn công brute force và được bảo vệ đầy đủ để được phép dùng cho dữ liệu ở cấp “Bí mật”. Đây là mã hóa đầu tiên và duy nhất có thể truy cập công khai được Cơ quan An ninh Quốc gia Hoa Kỳ phê duyệt để dùng cho dữ liệu Tuyệt mật (mã hóa 192 bit trở lên).
FIPS 140-2 Cấp độ 3: Tiêu chuẩn bảo mật máy tính phổ biến của chính phủ, được ban hành vào năm 2019. Ngoài việc đảm bảo bảo mật cấp sản xuất và đáp ứng các yêu cầu về xác thực vai trò và khả năng chống can thiệp vật lý, các hệ thống đáp ứng tiêu chuẩn này phải có sự tách biệt giữa các giao diện truy cập và ra khỏi mô-đun của "các tham số bảo mật quan trọng".
Bộ nhớ flash: Bộ nhớ flash là bộ nhớ điện tĩnh (loại bộ nhớ lưu trữ dữ liệu kể cả khi không có nguồn điện). Bộ nhớ flash thường có trong các thiết bị như ổ cứng thể rắn (SSD) và USB Flash. Máy tính cá nhân hay các giải pháp lưu trữ doanh nghiệp cũng thường dùng bộ nhớ flash.
Kích cỡ: Hình dáng và kích cỡ của một linh kiện điện tử, chẳng hạn như ổ cứng hay ổ SSD.
Tần số: Thuật ngữ cũ, dùng để miêu tả tốc độ của bộ nhớ.
Gbps: Gigabit trên giây, tốc độ dữ liệu đo số tỷ bit trên giây.
Gigabit (Gb): Bit là đơn vị dữ liệu nhỏ nhất trong thông tin máy tính và được biểu thị bằng số 1 hoặc 0 (bật/tắt). Một Gigabit (Gb) là 1 tỷ bit (hay 109) như được xác định trong Hệ đơn vị đo lường quốc tế (SI). Đối với bộ nhớ máy tính, Gb (hoặc Gbit) thường được sử dụng để thể hiện mật độ của một linh kiện DRAM đơn nhất.
Gigabyte (GB): Một byte bao gồm 8 bit. Một Gigabyte (GB) là 1 tỷ byte (hay 109) như được xác định trong Hệ đo lường quốc tế (SI). Đối với bộ nhớ máy tính, GB được sử dụng để thể hiện tổng dung lượng dữ liệu của một thanh RAM hoặc một nhóm thanh RAM kết hợp, tương đương với tổng dung lượng bộ nhớ của hệ thống.
Intel®: Intel Corporation
Intel® Xeon®: Dòng bộ xử lý máy chủ Intel.
Intel® XMP 2.0: Thông số ép xung của Intel dành cho DDR4/DDR3.
Intel® XMP 3.0: Thông số ép xung của Intel dành cho DDR5.
Được chứng nhận Intel® XMP 3.0: Sản phẩm/kit đã đạt quy chuẩn và được gửi tới chương trình tự chứng nhận phiên bản 3 của Intel dành cho DDR5.
Tương thích với Intel® XMP 3.0: Sản phẩm/kit tương thích với cấu hình ép xung của Intel XMP 3.0 dành cho DDR5.
Được chứng nhận Intel® XMP: Sản phẩm/kit đã đạt thử nghiệm và được gửi tới chương trình tự chứng nhận phiên bản 2 của Intel dành cho DDR4/DDR3.
Tương thích với Intel® XMP: Sản phẩm/kit tương thích với các cấu hình ép xung Intel XMP 2.0 hoặc trước đó dành cho DDR4/DDR3.
IR Sync: Viết ngắn gọn của Kingston Infrared Sync Technology.
Mbps: Megabit trên giây, tốc độ dữ liệu đo số triệu bit trên giây.
Bộ nhớ: Khu vực trên máy tính lưu trữ tạm thời dữ liệu cho bộ xử lý.
Kênh bộ nhớ: "Kênh bộ nhớ" là đường truyền dữ liệu giữa một thanh RAM và bộ điều khiển bộ nhớ (thường thấy ở các bộ xử lý). Hầu hết các hệ thống máy tính (PC, máy tính xách tay, máy chủ) đều có cấu trúc bộ nhớ đa kênh. Các kênh này kết hợp với nhau để nâng cao hiệu năng bộ nhớ. Cấu trúc bộ nhớ Kênh Đôi là khi các thanh RAM giống hệt nhau được lắp thành một cặp. Khi đó, băng thông hiệu dụng cho bộ điều khiển bộ nhớ sẽ tăng lên gấp đôi.
MHz: MegaHertz, triệu chu kỳ (xung nhịp) mỗi giây.
Thẻ microSD: Một loại thẻ nhớ rất nhỏ thường được dùng trong điện thoại di động và các thiết bị di động khác.
MT/giây: MegaTransfers trên giây, tốc độ đo số triệu lần truyền dữ liệu trên giây.
Xếp chồng thiết bị NAND: Để nâng cao khả năng lưu trữ, một thiết bị bộ nhớ điện tĩnh như bộ nhớ NAND Flash có thể xếp chồng nhiều khuôn bộ nhớ (ví dụ: chip) để cấu thành một gói khuôn bộ nhớ. Gói khuôn bộ nhớ có thể được triển khai dưới nhiều dạng, chẳng hạn như DDP (Gói hai khuôn), QDP (Gói bốn khuôn), ODP (Gói tám khuôn) đến tận HDP (gói 16 khuôn). Kỹ thuật xếp chồng khuôn cho phép các các thiết bị có kích cỡ nhỏ có dung lượng lớn hơn, chẳng hạn như USB hay ổ SSD M.2.
Không ECC: Không hỗ trợ chức năng ECC.
Bộ nhớ điện tĩnh: Bộ nhớ điện tĩnh là một loại bộ nhớ máy tính có khả năng giữ dữ liệu đã lưu kể cả khi mất nguồn điện.
NVM Express™ (NVMe™): Non-Volatile Memory Express, là một thông số giao diện mở để truy cập bộ lưu trữ điện tĩnh của máy tính, ví dụ như ổ SSD.
PCI Express® (PCIe®): Tiêu chuẩn kết nối ngoại vi hỏa tốc là một tiêu chuẩn giao diện cho các linh kiện tốc độ cao, như GPU hay ổ SSD.
PMIC: Mạch tích hợp quản lý nguồn điện là một cụm các linh kiện trên thanh RAM DDR5 để quản lý phân phối nguồn điện.
Plug N Play (PnP): Khi sử dụng cho [Kingston FURY Beast] và [Kingston FURY Impact], từ này mô tả một cách thức ép xung mà không cần bật cài đặt của Kingston.
Bảo vệ khi mất điện: Hiện tượng mất điện là không tránh khỏi và có thể gây ảnh hưởng nghiêm trọng đến môi trường làm việc nếu không sử dụng phần cứng phù hợp. Bảo vệ khi mất điện là rất cần thiết để tránh mất dữ liệu. Thiết bị chủ được hỗ trợ có thể gửi một lệnh tới thẻ để dừng mọi hoạt động nếu phát hiện có hiện tượng sụt nguồn. Điều này cho thẻ đủ thời gian để lưu lại bất kỳ dữ liệu nào đang được ghi tại thời điểm mất điện.
Bậc Bốn: 4 Bậc, hay Bậc Bốn, số lượng đơn vị tải dữ liệu 64-bit trên mỗi thanh.
QVL: Danh sách nhà cung cấp đủ điều kiện.
Bậc: "Bậc" nói đến khối dữ liệu có thể xử lý trên một thanh RAM. Đối với DDR2, DDR3 và DDR4, các khối dữ liệu này có độ rộng là 64-bit (x64), cộng với 8-bit cho ECC (x72). Các thanh RAM DDR5 cũng là 64-bit mỗi bậc, nhưng khi có ECC thì khối dữ liệu sẽ có độ rộng là 80-bit mỗi bậc (x80). Một thanh RAM có thể được thiết kế theo dạng Bậc Đơn (1R), Bậc Đôi (2R), Bậc Bốn (4R) hoặc Bậc Tám (8R). Số bậc thường tăng để có được các mức dung lượng bộ nhớ cao hơn.
RAS: Tín hiệu để xác định địa chỉ nhớ theo hàng là một phương pháp truy cập dữ liệu trên bộ nhớ.
RDIMM: DIMM có thanh ghi/p>
Tương thích với [AMD Ryzen™]: Chương trình tự chứng nhận AMD dành cho ép xung trên các máy tính sử dụng [AMD Ryzen].
Thanh ghi: Chip bộ đệm có trên các thanh RAM cấp máy chủ chuyên quản lý các đơn vị tải dữ liệu.
RGB: Đèn LED đỏ, xanh lục và xanh lam
Thẻ SD: Một loại thẻ nhớ thường được dùng trong máy ảnh kỹ thuật số và các thiết bị di động khác.
Cấp tốc độ SD: Hiệp hội thẻ SD đã ban hành tiêu chuẩn đánh giá tốc độ truyền dữ liệu tối thiểu theo nhu cầu của các công ty sản xuất các sản phẩm ghi video khi yêu cầu tốc độ ghi nhất định trong quá trình ghi dữ liệu lên thẻ nhớ. Cấp tốc độ SD, cấp tốc độ UHS và cấp tốc độ Video chuẩn hóa điều này cho cả thẻ nhớ và thiết bị để đảm bảo tốc độ ghi tối thiểu và mang đến hiệu năng tốt nhất.
SDRAM: Bộ nhớ truy xuất ngẫu nhiên động đồng bộ
Server Premier: Dòng sản phẩm bộ nhớ tiêu chuẩn ngành cho các máy chủ/máy trạm, có mã sản phẩm bắt đầu bằng “KSM”.
SIMM: Thanh RAM một hàng chân (đã không còn phổ biến từ đầu những năm 2000).
Bậc Đơn: 1 Bậc, hay 1R, số lượng đơn vị tải dữ liệu 64-bit trên mỗi thanh.
Gói hệ thống (SIP): Một gói hệ thống (SiP) là một thiết kế được dùng để kết hợp nhiều mạch tích hợp (IC) và các cấu phần thụ động vào một gói duy nhất, có thể xếp chồng lên nhau bằng kỹ thuật xếp chồng gói. Thường được dùng trong ổ SSD, USB, thẻ SD, bên trong điện thoại di động, v.v.
SODIMM: Thanh RAM đôi nội tuyến, có đường viền nhỏ là một thanh RAM có kích thước được thu gọn để dùng cho các hệ thống máy tính nhỏ hơn như máy tính xách tay, máy chủ siêu nhỏ, máy in hoặc bộ định tuyến.
SPD: Phát hiện hiện diện nối tiếp, còn được gọi là SPD EEPROM, là một chip trên mô-đun lưu trữ thông tin về mã sản phẩm, thông số kỹ thuật.
Tốc độ (hay còn gọi là Tần số): Tốc độ dữ liệu hay tốc độ xung nhịp hiệu dụng mà một thanh RAM hỗ trợ, được đo bằng đơn vị MHz (MegaHertz) hoặc MT/giây (MegaTransfer mỗi giây). Tốc độ càng cao thì càng có nhiều dữ liệu được truyền đi mỗi giây.
Cấp tốc độ (Cấp 4, 6, 10): Tiêu chuẩn đánh giá tốc độ của Hiệp hội thẻ SD cho các loại thẻ lưu trữ ngoài khác nhau (thẻ SD, thẻ microSD). Các thẻ được biểu thị bằng “Cấp tốc độ” và nêu rõ tốc độ ghi duy trì tối thiểu. Thẻ có thể được xếp hạng Cấp 4 (4MB/giây), Cấp 6 (6MB/giây) hay Cấp 10 (10MB/giây).
SSD: Ổ cứng thể rắn là thiết bị lưu trữ được cấu thành từ các bộ chip NAND Flash. Thay vì sử dụng cơ cấu truyền động cơ học như ổ đĩa cứng, dữ liệu trên ổ này được ghi và đọc bởi một bộ điều khiển Flash. Do không có bộ phận cơ học, ổ SSD vận hành trơn tru và hiệu quả hơn ổ HDD. Một ưu điểm khác của ổ SSD so với ổ HDD là loại ổ này không dễ bị nhiễu từ tính.
Công cụ ECC mạnh mẽ: Bộ nhớ Flash NAND phải duy trì tính toàn vẹn dữ liệu khi dữ liệu di chuyển từ máy tính chủ sang thiết bị lưu trữ NAND thông qua bộ điều khiển Flash. Dữ liệu truyền từ thiết bị chủ sang thẻ nhớ thường được gọi là dữ liệu "đang truyền" trước khi dữ liệu này được ghi vào thiết bị lưu trữ NAND Flash trên thực tế. Bộ điều khiển Flash tích hợp công nghệ Sửa lỗi (gọi là ECC, viết tắt của Error Correction Code) để phát hiện và sửa phần lớn các lỗi có thể ảnh hưởng đến dữ liệu trong suốt tiến trình này. Các chip nhớ Flash tích hợp thêm thông tin sửa lỗi cùng với mỗi khối dữ liệu được ghi; thông tin này cho phép bộ điều khiển Flash sửa nhiều lỗi đồng thời khi đọc một khối dữ liệu. Bộ nhớ NAND Flash, cũng giống như ổ đĩa cứng, sẽ gặp phải lỗi bit trong quá trình hoạt động thông thường mà nó sẽ sửa ngay với dữ liệu ECC. Nếu một thiết bị NAND có quá nhiều lỗi trong một khối dữ liệu thì khối đó sẽ được đánh dấu là Khối lỗi, được loại bỏ và một trong những khối trống sẽ được thay vào để sử dụng. Trong quá trình này, dữ liệu sẽ được sửa lỗi bằng ECC nếu cần. Việc sử dụng Khối trống Dự phòng sẽ nâng cao tuổi thọ hữu ích và độ bền của ổ SSD.
Kênh con: Nói đến thanh RAM DDR5 phân chia địa chỉ 64 bit thành hai phần 32 bit để tăng hiệu suất.
Cấp tốc độ video UHS-I:Một cấp tốc độ cho ghi video. Tốc độ ghi tối thiểu của phương tiện được đề cập được đo bằng một chữ cái, theo sau là một chữ số. Cấp tốc độ V30 có tốc độ ghi tối thiểu là 30MB/giây.
Không có bộ đệm: Không có bộ đệm dữ liệu trên thanh, như thanh ghi.
U.2: Một chuẩn giao diện máy tính với kết nối ổ SSD, được thiết kế cho thị trường doanh nghiệp. Thường có kích cỡ 2.5” và có dung lượng lớn hơn M.2.
UHS-I: Tốc độ cực cao – I (UHS-I) là một cấp tốc độ cho thẻ nhớ SDHC và SDXC. UHS-I có tốc độ giao diện bus lên đến 104 MB/giây.
UHS-II: Tốc độ cực cao – II (UHS-II) là một cấp tốc độ cho thẻ nhớ SDHC và SDXC. UHS-I có tốc độ giao diện bus lên đến 312 MB/giây. So với phiên bản đầu tiên (UHS-I), phiên bản này có thêm hàng chân thứ hai sử dụng công nghệ Tín hiệu vi phân điện áp thấp (LVDS) cho phép tốc độ truyền cao hơn.
Cấp tốc độ UHS (U1, U3): Tốc độ cực cao (UHS) nêu rõ hiệu năng ghi duy trì tối thiểu đối với ghi video. Hiệp hội thẻ SD tạo ra hai cấp tốc độ UHS, đó là Cấp tốc độ UHS 1 và Cấp tốc độ UHS 3. Cấp tốc độ UHS 1 hỗ trợ tốc độ ghi tối thiểu 10MB/giây và Cấp tốc độ UHS 3 hỗ trợ tốc độ ghi tối thiểu 30MB/giây. Cấp tốc độ UHS thường có thể được nhận diện bằng biểu tượng chữ U, với số 1 hoặc 3 bên trong.
USB: Bus nối tiếp vạn năng (USB) là tiêu chuẩn giao diện cho phép kết nối giữa các thiết bị và một bộ điều khiển chủ, chẳng hạn như máy tính cá nhân (PC) hay điện thoại thông minh. USB kết nối các thiết bị ngoại vi như máy ảnh kỹ thuật số, chuột, bàn phím, máy in, máy scan, thiết bị đa phương tiện, ổ cứng bên ngoài và ổ flash.
USB 3.2 Gen 1 (5Gbps)/USB 3.2 Gen 2 (10Gbps)/USB 3.2 Gen 2x2/USB 4: Sự khác biệt giữa các tiêu chuẩn USB này là khả năng đáp ứng tốc độ truyền dữ liệu. USB 3.2 Gen 1 hỗ trợ tốc độ lên đến 5Gbit/giây, USB 3.2 Gen 2 hỗ trợ tốc độ lên đến 10Gbit/giây, USB 3.2 Gen 2x2 hỗ trợ tốc độ lên đến 20Gbit/giây, và USB4 hỗ trợ tốc độ lên đến 40Gbit/giây.
ValueRAM: Dòng sản phẩm bộ nhớ tiêu chuẩn ngành cho máy tính, mã sản phẩm bắt đầu bằng “KVR”.
VLP: Là từ viết tắt của "Very Low Profile" (tạm dịch: Hình thể rất thấp), chỉ chiều cao của mạch in PCB.
FAT: Bảng phân bố tập tin (FAT) là hệ thống tập tin dành cho ổ cứng. Hệ điều hành (OS) dùng FAT để quản lý tập tin trên ổ cứng và các hệ thống máy tính khác. FAT thường được dùng trong bộ nhớ flash, máy ảnh kỹ thuật số và các thiết bị di động. FAT được dùng để lưu trữ thông tin tập tin và kéo dài tuổi thọ ổ cứng.
Gom dữ liệu hỏng: Chức năng Gom dữ liệu hỏng là chìa khóa để bộ nhớ NAND Flash để duy trì tuổi thọ và tốc độ. Các thiết bị dựa trên NAND Flash không thể ghi đè lên dữ liệu đã tồn tại ở đó. Chúng phải trải qua một chu kỳ ghi/xóa; để ghi lên một khối dữ liệu đã được sử dụng, trước tiên bộ điều khiển NAND Flash sẽ sao chép tất cả dữ liệu hợp lệ (dữ liệu vẫn đang được sử dụng) và ghi chúng vào các trang trống trên một khối khác, xóa tất cả các ô trong khối hiện tại (cả dữ liệu hợp lệ và không hợp lệ) và sau đó ghi dữ liệu mới vào khối vừa bị xóa. Quá trình này gọi là gom dữ liệu hỏng.
Bộ tản nhiệt: Tấm kim loại gắn trên các thanh RAM để tản nhiệt.
Infrared Sync Technology™: Công nghệ đồng bộ RGB được cấp bằng sáng chế sử dụng linh kiện hồng ngoại trên các thanh RAM HyperX® và Kingston FURY™.
JEDEC: Hội đồng Kỹ thuật Thiết bị Điện tử, cơ quan tiêu chuẩn ngành.
Bộ kit: Mã sản phẩm chứa nhiều thanh RAM, thường hỗ trợ kiến trúc bộ nhớ kênh đôi, kênh ba hoặc kênh bốn. Ví dụ: K2 = 2 DIMM trong bộ sản phẩm để đạt tổng dung lượng.
LRDIMM: DIMM Giảm tải.
M.2: Kích cỡ của các bảng mạch mở rộng máy tính được gắn bên trong. Cho phép nhiều kích thước dài và rộng khác nhau của linh kiện
NAND: Một loại bộ nhớ flash, là một phương tiện lưu trữ điện tĩnh điện tử, có khả năng xoá và lập trình lại bằng điện. NAND là viết tắt của NOT AND, là cổng logic (phương tiện để đưa ra một đầu ra cụ thể trong điện tử kỹ thuật số).
ECC trên chip bán dẫn (ODECC): Mã hiệu chỉnh lỗi bên trong chip DRAM.
PCB: Bo mạch in. Trừ FURY có màu đen thì mọi bảng mạch khác đều là màu xanh lục/xanh lam.
Kênh Bốn: Kiến trúc ổ cắm bộ nhớ có bốn thanh RAM giống hệt nhau kết hợp băng thông để tăng hiệu năng hệ thống.
RAM: Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên.
SATA: Viết tắt của Công nghệ truyền tải nối tiếp, là giao diện bus máy tính để kết nối các thiết bị lưu trữ dung lượng lớn như ổ cứng hay ổ SSD.
UDIMM: Thanh RAM đôi nội tuyến, không có bộ đệm, không có tính năng ECC là thanh RAM có hình dáng dài với độ rộng dữ liệu là x64, thường được sử dụng nhiều nhất trong các hệ thống máy tính để bàn không cần đến tính năng sửa lỗi và có dung lượng DIMM hạn chế.
Cấp tốc độ video (V10, V30, V60, V90): Cấp tốc độ video được Hiệp hội thẻ SD tạo ra để phân loại thẻ có thể hoạt động thích ứng với độ phân giải video và các chức năng ghi cao hơn. Cấp tốc độ này đảm bảo hiệu năng duy trì tối thiểu để ghi video. Có các cấp tốc độ V6, V10, V30, V60 và V90. Cấp tốc độ V90 có nghĩa là tốc độ ghi tối thiểu của thẻ nhớ cần đạt được là 90MB/giây, V30 là 30MB/giây, v.v.
Cân bằng hao mòn: Các thiết bị lưu trữ Flash của A-ray tích hợp bộ điều khiển sử dụng công nghệ cân bằng hao mòn tiên tiến, công nghệ này phân phối số lượng chu kỳ P/E (ghi/xóa) đồng đều trên khắp bộ nhớ Flash. Cân bằng độ hao mòn sẽ giúp kéo dài tuổi thọ sử dụng của thẻ nhớ Flash.
x16: Độ rộng dữ liệu DRAM, 16 bit.
x4: Độ rộng dữ liệu DRAM, 4 bit.
x64: Độ rộng dữ liệu thanh RAM, 64 bit không ECC.
x72: Độ rộng dữ liệu thanh RAM, 72 bit có ECC (64 + 8 bit).
x8: Độ rộng dữ liệu DRAM, 8 bit.
x80: Độ rộng dữ liệu thanh RAM, 80 bit có ECC (32 + 8 kép, nhưng có kênh con).
XMP: Cấu hình Bộ nhớ Intel Extreme, các khoảng thời gian được lập trình sẵn trên các thanh RAM ép xung.
XTS-AES: Chuẩn mã hóa nâng cao đánh cắp bản mã khối có thể điều chỉnh XEX; có chức năng như một mã hóa khối có thể điều chỉnh cho các đơn vị dữ liệu 128 bit trở lên, dùng mã hóa khối AES như một chương trình con. Đây là chế độ mã hóa với độ bảo mật rất cao, được nhiều tổ chức hành chính và doanh nghiệp sử dụng.
